入学時期及び入学年次 令和7年4月に第3年次として入学します。 １．出願資格 次の(1)～(9)のいずれかに該当する者 (1) 短期大学を卒業した者及び令和7年3月までに卒業見込みの者 (2) 高等専門学校を卒業した者及び令和7年3月までに卒業見込みの者 (3) 専修学校の専門課程（修業年限が2年以上で、課程の修了に必要な総授業時間数が1,700時間以上であること。）を修了した者（学校教育法第90条第１項に規定する者に限る。）及び令和7年3月までに同要件を満たす見込みの者 (2)試験当日の提出書類について 募集学科・課程及び募集人員 ２．選抜方法 入学者の選抜は、次の表による方法及び提出された書類の結果を総合して判定します。 (1) 試験日時及び場所 令和6年11月9日（土）工学部で実施します。 ３．合格者発表 令和6年12月2日（月）11時（予定） 合格者には「合格通知書」を送付します。 また、参考までに本学ウェブサイト（https://www.kumamoto-u.ac.jp/）にも合格者の受験番号を掲載 面接試験 （専門分野及び数学についての口頭試問を含みます。） -2-学科・課程名 半導体デバイス工学課程 (4) 高等学校、中等教育学校の後期課程又は特別支援学校の高等部の専攻科の課程（修業年限が2年以上であることその他の文部科学大臣の定める基準を満たすものに限る。）を修了した者（学校教育法第90条第1項に規定する者に限る。）及び令和7年3月までに修了見込みの者 (5) 大学を卒業した者及び令和7年3月までに卒業見込みの者 (6) 大学に2年以上在学（休学期間を除く。）し、62単位以上修得した者及び令和7年3月までに同要件を満たす見込みの者 (7) 学校教育法第104条第7項の規定により学士の学位を授与された者及び令和7年3月までに授与される見込みの者 (8) 外国において、学校教育における14年の課程を修了した者及び令和7年3月までに修了見込みの者 (9) 外国の短期大学を卒業した者又は外国の短期大学の課程を有するものとして当該外国の学校教育制度において位置付けられた教育施設であって、文部科学大臣が別に指定するものの当該課程を我が国において修了した者（学校教育法第90条第１項に規定する者に限る。）及び令和7年3月までに修了見込みの者 ※受験者は、9時10分までに、工学部2号館に集合してください。 集合後、試験会場へ誘導します。（詳細は受験案内送付時にお知らせします。） 学科・課程名 半導体デバイス工学課程 試験日から2年以内に受験した英語資格・検定試験の（TOEIC L&R又はTOEFL iBT）スコアの原本を試験 日に必ず提出してください。 提出されたスコア等（原本）は同日に返却します。 指定されたスコアの提出がない場合、面接試験の評価ができない場合があります。 なお、TOEIC L&Rデジタル公式認定証を提出する場合は、プリントアウトしたものを提出してください。 します。（当日の通信環境の状況等により遅れる場合があります。） なお、電話等による合否の照会には一切応じません。 募集人員 （高専、短大、大学、専修学校、高等学校の専攻科等） ４名程度 ※出身学科を問わない 選抜方法 募集対象学科・課程 試 験 時 間 9:30～
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